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STL13N60DM2

STL13N60DM2

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MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV

STL13N60DM2 Technisches Datenblatt

compliant

STL13N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.03850 -
6,000 $1.00440 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 370mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 730 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) HV
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

STP24N60M2
STP24N60M2
$0 $/Stück
SIRA74DP-T1-GE3
BUK7108-40AIE,118
IXTT26N50P
IXTT26N50P
$0 $/Stück
SQ3419EV-T1_BE3
SI3129DV-T1-GE3
IXFN150N65X2
IXFN150N65X2
$0 $/Stück
STW40N60M2-4
APT56F60B2

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