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AOTF12N60

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MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F

AOTF12N60 Technisches Datenblatt

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AOTF12N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.79170 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 550mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STL13N60DM2
STP24N60M2
STP24N60M2
$0 $/Stück
SIRA74DP-T1-GE3
BUK7108-40AIE,118
IXTT26N50P
IXTT26N50P
$0 $/Stück
SQ3419EV-T1_BE3
SI3129DV-T1-GE3
IXFN150N65X2
IXFN150N65X2
$0 $/Stück
STW40N60M2-4

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