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STF8N60DM2

STF8N60DM2

STF8N60DM2

MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP

STF8N60DM2 Technisches Datenblatt

compliant

STF8N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.76985 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 449 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FPAB
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

HUF76145S3S
STD4NK60ZT4
IRF1310NPBF
FDS7296N3
FDD86540
FDD86540
$0 $/Stück
PMCM4401VNEAZ
SQJ486EP-T1_GE3
DMP3056L-7

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