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STFU10N80K5

STFU10N80K5

STFU10N80K5

MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP

STFU10N80K5 Technisches Datenblatt

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STFU10N80K5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.46740 -
1951 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 635 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STFI260N6F6
STB42N60M2-EP
RM150N60HD
RM150N60HD
$0 $/Stück
SI7898DP-T1-GE3
IXTY1N120P
IXTY1N120P
$0 $/Stück
FQA19N60
IXFN48N60P
IXFN48N60P
$0 $/Stück
SI2323DS-T1-BE3

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