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STL19N60M2

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MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV

STL19N60M2 Technisches Datenblatt

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STL19N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.42560 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 791 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRFB4137PBF
SI1012R-T1-GE3
SI7423DN-T1-E3
FQP9N25
APTM100UM45FAG
2SK2803
2SK2803
$0 $/Stück

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