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XPW4R10ANB,L1XHQ

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MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101

nicht konform

XPW4R10ANB,L1XHQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.43000 $2.43
500 $2.4057 $1202.85
1000 $2.3814 $2381.4
1500 $2.3571 $3535.65
2000 $2.3328 $4665.6
2500 $2.3085 $5771.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4970 pF @ 10 V
FET-Funktion Standard
Verlustleistung (max.) 170W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DSOP Advance
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

FQP9N25
APTM100UM45FAG
2SK2803
2SK2803
$0 $/Stück
STB40NF20
STB40NF20
$0 $/Stück
APT6017JFLL
IRFPE30PBF
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$0 $/Stück
STFI28N60M2

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