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STL7N6LF3

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MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT

STL7N6LF3 Technisches Datenblatt

nicht konform

STL7N6LF3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.43733 -
6,000 $0.41038 -
15,000 $0.39690 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 43mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 432 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.3W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIS435DNT-T1-GE3
PSMN027-100XS,127
BUK965R4-40E,118
FDB2552
FDB2552
$0 $/Stück
NTD4906NA-35G
NTD4906NA-35G
$0 $/Stück
EKI07117
EKI07117
$0 $/Stück
EPC2207
EPC2207
$0 $/Stück
SQP10250E_GE3

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