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STP15NM60ND

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MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB

STP15NM60ND Technisches Datenblatt

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STP15NM60ND Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 299mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1250 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK7Y08-40B/C,115
R8010ANX
R8010ANX
$0 $/Stück
NTB5404NT4G
NTB5404NT4G
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FDMS7692A
MTW32N20E
MTW32N20E
$0 $/Stück
NDD02N40T4G
NDD02N40T4G
$0 $/Stück
FDV304P_NB8U003
FDV304P_NB8U003
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NTD85N02RG
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