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STP4NK80ZFP

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MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP

STP4NK80ZFP Technisches Datenblatt

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STP4NK80ZFP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.98890 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 575 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

APT14M120S
SQ1464EEH-T1_GE3
NTC080N120SC1
NTC080N120SC1
$0 $/Stück
BUK7M6R7-40HX
FQP20N06
FQP20N06
$0 $/Stück
IXFK80N60P3
IXFK80N60P3
$0 $/Stück
RM2333
RM2333
$0 $/Stück

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