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PJQ4413P_R2_00001

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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ4413P_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.8 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 516 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

BUK7M6R7-40HX
FQP20N06
FQP20N06
$0 $/Stück
IXFK80N60P3
IXFK80N60P3
$0 $/Stück
RM2333
RM2333
$0 $/Stück
RSJ550N10TL
ZVP3310FTA
R5009FNX
R5009FNX
$0 $/Stück
PMPB11EN,115
SIJ128LDP-T1-GE3

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