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RSJ550N10TL

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MOSFET N-CH 100V 55A LPTS

RSJ550N10TL Technisches Datenblatt

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RSJ550N10TL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.89000 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 55A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 143 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

ZVP3310FTA
R5009FNX
R5009FNX
$0 $/Stück
PMPB11EN,115
SIJ128LDP-T1-GE3
IRFB4610PBF
SIHB33N60E-GE3
SIHP21N80AEF-GE3
AUIRFR4620TRL

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