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Name | Wert |
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Produktstatus | Last Time Buy |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 31A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 20V |
rds ein (max) @ id, vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
vgs(th) (max) @ ID | 4.3V @ 5mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 56 nC @ 20 V |
vgs (max) | +25V, -15V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1112 pF @ 800 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 178W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | Die |
Paket / Koffer | Die |
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