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NTC080N120SC1

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onsemi

SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V

nicht konform

NTC080N120SC1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $10.42750 $10.4275
500 $10.323225 $5161.6125
1000 $10.21895 $10218.95
1500 $10.114675 $15172.0125
2000 $10.0104 $20020.8
2500 $9.906125 $24765.3125
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 31A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 4.3V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 20 V
vgs (max) +25V, -15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1112 pF @ 800 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 178W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Koffer Die
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Zugehörige Teilenummer

BUK7M6R7-40HX
FQP20N06
FQP20N06
$0 $/Stück
IXFK80N60P3
IXFK80N60P3
$0 $/Stück
RM2333
RM2333
$0 $/Stück
RSJ550N10TL
ZVP3310FTA
R5009FNX
R5009FNX
$0 $/Stück
PMPB11EN,115

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