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STP6NK60ZFP

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MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP

STP6NK60ZFP Technisches Datenblatt

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STP6NK60ZFP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.87374 -
994 items
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 905 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXTH160N10T
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$0 $/Stück
IXFH180N20X3
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$0 $/Stück
DMN6068SE-13
IRF610SPBF
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SIR186DP-T1-RE3
IXFP38N30X3
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IRFU120PBF
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