Welcome to ichome.com!

logo
Heim

STP80N10F7

STP80N10F7

STP80N10F7

MOSFET N-CH 100V 80A TO220

STP80N10F7 Technisches Datenblatt

compliant

STP80N10F7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.76000 $2.76
50 $2.22760 $111.38
100 $2.00480 $200.48
500 $1.55926 $779.63
1,000 $1.29195 -
2,500 $1.20285 -
5,000 $1.15830 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3100 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

RM6N800HD
RM6N800HD
$0 $/Stück
STF5N60M2
STF5N60M2
$0 $/Stück
CSD18531Q5AT
BUK7E3R5-60E,127
RTQ045N03HZGTR
FCD9N60NTM
FCD9N60NTM
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.