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STS3DNE60L

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MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC

STS3DNE60L Technisches Datenblatt

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STS3DNE60L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.63140 -
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 815pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

NVTJD4001NT2G
NVTJD4001NT2G
$0 $/Stück
SI1563DH-T1-GE3
SI3948DV-T1-E3
SI4943BDY-T1-GE3
SI4940DY-T1-GE3
AUIRF7319QTR
IRF7309PBF
BSO303PHXUMA1
SI6973DQ-T1-E3
SP8K3FU6TB
SP8K3FU6TB
$0 $/Stück

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