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STT6N3LLH6

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MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6

STT6N3LLH6 Technisches Datenblatt

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STT6N3LLH6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.46710 -
6,000 $0.44631 -
15,000 $0.43146 -
6000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 283 pF @ 24 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
Paket / Koffer SOT-23-6
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