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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 800 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 950mOhm @ 3A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 5V @ 100µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 16.5 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±30V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 450 pF @ 100 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-251 (IPAK) |
Paket / Koffer | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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