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IPB180N03S4L01ATMA1

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MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

SOT-23

nicht konform

IPB180N03S4L01ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.37090 -
30438 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.05mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 140µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 239 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 17600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 188W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7-3
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

RQ3E180AJTB
BS107P
BS107P
$0 $/Stück
SIR466DP-T1-GE3
SI7772DP-T1-GE3
NTMFS4939NT1G
NTMFS4939NT1G
$0 $/Stück
BUK7610-55AL,118
CSD25402Q3A
CSD25402Q3A
$0 $/Stück
STU6N90K5
STU6N90K5
$0 $/Stück
BSS159NL6906

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