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STW28N60DM2

STW28N60DM2

STW28N60DM2

MOSFET N-CH 600V 21A TO247

STW28N60DM2 Technisches Datenblatt

nicht konform

STW28N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.07000 $6.07
30 $4.87567 $146.2701
120 $4.44233 $533.0796
510 $3.59722 $1834.5822
1,020 $3.03380 -
2,520 $2.88211 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 170W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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