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STW9N150

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MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3

STW9N150 Technisches Datenblatt

nicht konform

STW9N150 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $13.71000 $13.71
30 $11.68133 $350.4399
120 $10.81500 $1297.8
510 $9.37125 $4779.3375
1,020 $8.67825 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 89.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3255 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 320W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SIS413DN-T1-GE3
IXFH26N100X
IXFH26N100X
$0 $/Stück
HUF75829D3
FDG312P
R6011KNXC7G
STB80N20M5
STB80N20M5
$0 $/Stück
FDMA8051L
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$0 $/Stück
SIHF6N40D-E3
SIHF6N40D-E3
$0 $/Stück

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