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TSM650N15CR RLG

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MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN

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TSM650N15CR RLG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.50400 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1829 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 96W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PDFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

NDD60N550U1-1G
NDD60N550U1-1G
$0 $/Stück
SI2333DS-T1-BE3
RQ6A050ZPTR
STD1059-001
STD1059-001
$0 $/Stück
FDMC510P
FDMC510P
$0 $/Stück
FQPF19N20
EPC2019
EPC2019
$0 $/Stück
SIA4265EDJ-T1-GE3

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