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CSD18537NQ5A

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MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1480 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-VSONP (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

TP2510N8-G
PMZ600UNEYL
PMZ600UNEYL
$0 $/Stück
SIHF540S-GE3
SIHF540S-GE3
$0 $/Stück
RM60N100DF
RM60N100DF
$0 $/Stück
SI8483DB-T2-E1
RSR025N05HZGTL
DI070P04PQ

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