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TPS1100PW

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MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP

TPS1100PW Technisches Datenblatt

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TPS1100PW Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
600 $0.96250 $577.5
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 15 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.27A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.7V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.45 nC @ 10 V
vgs (max) +2V, -15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 504mW (Ta)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

IRF624PBF
IRF624PBF
$0 $/Stück
MSC015SMA070B
STWA20N95DK5
IXTP64N10L2
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$0 $/Stück
STB6NK60Z-1
NTMYS7D3N04CLTWG
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$0 $/Stück
CPH6311-TL-E
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