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TK12Q60W,S1VQ

TK12Q60W,S1VQ

TK12Q60W,S1VQ

MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

compliant

TK12Q60W,S1VQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.65000 $1.65
500 $1.6335 $816.75
1000 $1.617 $1617
1500 $1.6005 $2400.75
2000 $1.584 $3168
2500 $1.5675 $3918.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 600µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 890 pF @ 300 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-Pak
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

IPB80N03S4L03
DMP6023LEQ-13
SI2309CDS-T1-GE3
BUK9M42-60EX
IRFPF50PBF
IRFPF50PBF
$0 $/Stück
3LP01M-TL-E
3LP01M-TL-E
$0 $/Stück
IPI50R299CP
IPB022N04LG

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