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TPH2R506PL,L1Q

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MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

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TPH2R506PL,L1Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.95900 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5435 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 132W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRFR9020PBF
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FQU2N60TU
QS6U22TR
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$0 $/Stück
RFD16N06LESM9A
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STF14N80K5
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$0 $/Stück
STP60NF06FP
SI7108DN-T1-E3
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