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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 40 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 60A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 4.7mOhm @ 30A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.1V @ 1mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 160 nC @ 10 V |
| vgs (max) | +10V, -20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 5640 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 960mW (Ta), 132W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
| Paket / Koffer | 8-SOIC (0.197", 5.00mm Width) |
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