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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 650 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.6V @ 300µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 14 nC @ 8 V |
| vgs (max) | ±18V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 760 pF @ 400 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 96W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-PQFN (8x8) |
| Paket / Koffer | 3-PowerDFN |
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