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IRFBC20PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB

IRFBC20PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFBC20PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.23000 $1.23
50 $0.98220 $49.11
100 $0.85940 $85.94
500 $0.66650 $333.25
1,000 $0.52619 -
2,500 $0.49111 -
5,000 $0.46655 -
595 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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