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IPA60R600C6XKSA1

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MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP

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IPA60R600C6XKSA1 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 440 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXFR36N60P
IXFR36N60P
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STW11NK90Z
STW11NK90Z
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IRF7402TRPBF
FQD1N60TF
EKV550
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IXTN62N50L
IXTN62N50L
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PSMN9R1-30YL,115

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