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SI2312CDS-T1-BE3

SI2312CDS-T1-BE3

SI2312CDS-T1-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

SOT-23

nicht konform

SI2312CDS-T1-BE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.41000 $0.41
500 $0.4059 $202.95
1000 $0.4018 $401.8
1500 $0.3977 $596.55
2000 $0.3936 $787.2
2500 $0.3895 $973.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta), 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 865 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

R6007KNJTL
R6007KNJTL
$0 $/Stück
2SK3199
2SK3199
$0 $/Stück
SI3424CDV-T1-BE3
ON5441518
ON5441518
$0 $/Stück
SUM70101EL-GE3
APT43F60B2

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