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SI2318DS-T1-GE3

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SI2318DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

nicht konform

SI2318DS-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.20758 -
6,000 $0.19493 -
15,000 $0.18228 -
30,000 $0.17342 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 45mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 540 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

HUF76121P3
SIHD6N65ET1-GE3
FKP252
FKP252
$0 $/Stück
STB57N65M5
STB57N65M5
$0 $/Stück
IXFK44N80P
IXFK44N80P
$0 $/Stück
IPD03N03LA G
FQAF6N80

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