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SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

compliant

SI3588DV-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A, 570mA
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 450mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 830mW, 83mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
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Zugehörige Teilenummer

SI4532ADY-T1-GE3
SI4542DY-T1-GE3
DMC3018LSD-13
SI6993DQ-T1-E3
NDS9958
NDS9958
$0 $/Stück
IRF5810
IRF5810
$0 $/Stück
FW906-TL-E
FW906-TL-E
$0 $/Stück
IRF8910GPBF
SI4226DY-T1-GE3

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