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SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

compliant

SI4435FDY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.15320 -
5,000 $0.14440 -
12,500 $0.13560 -
25,000 $0.12504 -
62,500 $0.12064 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 19mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

STF6N52K3
STF6N52K3
$0 $/Stück
STD10NM60ND
FDS6679AZ
FDS6679AZ
$0 $/Stück
PMV170UN,215
PMV170UN,215
$0 $/Stück
NVMFS5C406NLT1G
NVMFS5C406NLT1G
$0 $/Stück

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