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SI4561DY-T1-E3

SI4561DY-T1-E3

SI4561DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

nicht konform

SI4561DY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.8A, 7.2A
rds ein (max) @ id, vgs 35.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 640pF @ 20V
Leistung - max. 3W, 3.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI6562DQ-T1-GE3
IRF5852
IRF5852
$0 $/Stück
SI1970DH-T1-GE3
FDD8426H
FDD8426H
$0 $/Stück
MCS8804-TP
FDS4559-F085
FDS4559-F085
$0 $/Stück
ZXMD63P03XTA

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