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SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

nicht konform

SI4910DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.6A
rds ein (max) @ id, vgs 27mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 855pF @ 20V
Leistung - max. 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

NTJD4105CT2
NTJD4105CT2
$0 $/Stück
FDQ7236AS
FDQ7236AS
$0 $/Stück
IRF7902PBF
SI1555DL-T1-E3
SI7872DP-T1-GE3
SI4622DY-T1-E3
SI5980DU-T1-GE3
SIB911DK-T1-GE3

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