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SI7115DN-T1-E3

SI7115DN-T1-E3

SI7115DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

compliant

SI7115DN-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.05498 -
6,000 $1.01837 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 295mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1190 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

SI2399DS-T1-GE3
SQS411ENW-T1_GE3
HUF75339P3
HUF75339P3
$0 $/Stück
BUK9M14-40EX
DMT67M8LK3-13
IXTA36P15P
IXTA36P15P
$0 $/Stück
RM50N60T2
RM50N60T2
$0 $/Stück
G3R160MT17D

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