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SI7116DN-T1-GE3

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SI7116DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8

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SI7116DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.15879 -
6,000 $1.11858 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

G3R75MT12D
FDMS86581
FDMS86581
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NTE4153NT1G
NTE4153NT1G
$0 $/Stück
SI7113DN-T1-GE3
SCH1436-TL-W
SCH1436-TL-W
$0 $/Stück
FQD1N50TM

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