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SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

compliant

SI7252DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.10950 -
6,000 $1.07100 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 36.7A
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1170pF @ 50V
Leistung - max. 46W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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