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SI7636DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

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SI7636DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.33140 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5600 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXTT4N150HV
IXTT4N150HV
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BUK962R8-60E,118
NTMJS0D8N04CLTWG
NTMJS0D8N04CLTWG
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IXTK140N20P
IXTK140N20P
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SIHP21N60EF-GE3
IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P
$0 $/Stück

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