Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

compliant

SI7686DP-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.47921 -
6,000 $0.45671 -
15,000 $0.44064 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1220 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

2SK4221
2SK4221
$0 $/Stück
APT5016BLLG
BUK964R7-80E,118
DMTH4014SPSW-13
R5019ANJTL
R5019ANJTL
$0 $/Stück
RM60N30DF
RM60N30DF
$0 $/Stück
AUIRFN7107TR
IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.