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SI7858ADP-T1-GE3

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SI7858ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

SOT-23

nicht konform

SI7858ADP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.15879 -
6,000 $1.11858 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5700 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS5C410NLT1G
NTMFS5C410NLT1G
$0 $/Stück
STB100N10F7
NVTFS5116PLTAG
NVTFS5116PLTAG
$0 $/Stück
IRF7580MTRPBF
BUK6607-55C,118
STP7N60M2
STP7N60M2
$0 $/Stück
STW63N65DM2
FQP44N08

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