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SI7892BDP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

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SI7892BDP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.80138 -
6,000 $0.77357 -
1664 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3775 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SQD07N25-350H_GE3
BUK768R1-40E,118
FQP630
IXTA220N04T2-TRL
IXTA220N04T2-TRL
$0 $/Stück
IRL40B209
R6046FNZ1C9
FDA50N50
FDA50N50
$0 $/Stück
NTD4909N-35G
NTD4909N-35G
$0 $/Stück
IXTH3N200P3HV
IXTH3N200P3HV
$0 $/Stück

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