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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 8 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 11.7A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 1.2V, 4.5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 35mOhm @ 1A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ ID | 800mV @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 26 nC @ 5 V |
vgs (max) | ±5V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1640 pF @ 4 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 4-Microfoot |
Paket / Koffer | 4-XFBGA, CSPBGA |
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