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SI8429DB-T1-E1

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT

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SI8429DB-T1-E1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.46200 -
6,000 $0.43890 -
15,000 $0.42240 -
210 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 8 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.2V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 800mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 5 V
vgs (max) ±5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1640 pF @ 4 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 4-Microfoot
Paket / Koffer 4-XFBGA, CSPBGA
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Zugehörige Teilenummer

STP10N80K5
STP10N80K5
$0 $/Stück
SIA441DJ-T1-GE3
PSMN2R0-60PSRQ
NTMFS6H818NT1G
NTMFS6H818NT1G
$0 $/Stück
IRFU3910PBF
FDD16AN08A0
FDD16AN08A0
$0 $/Stück
RXH100N03TB1

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