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SI8800EDB-T2-E1

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT

nicht konform

SI8800EDB-T2-E1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.17272 -
6,000 $0.16157 -
15,000 $0.15043 -
30,000 $0.14263 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.3 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 4-Microfoot
Paket / Koffer 4-XFBGA, CSPBGA
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Zugehörige Teilenummer

2N7002,215
2N7002,215
$0 $/Stück
IXFH30N60P
IXFH30N60P
$0 $/Stück
NTGS3443T1G
NTGS3443T1G
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NTTFS022N15MC
NTTFS022N15MC
$0 $/Stück
NTE2398
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IXFK170N20T
IXFK170N20T
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