Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA436DJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.27120 -
6,000 $0.25360 -
15,000 $0.24480 -
30,000 $0.24000 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 8 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.2V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 800mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25.2 nC @ 5 V
vgs (max) ±5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1508 pF @ 4 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IXFT30N85XHV
IXFT30N85XHV
$0 $/Stück
FDMA510PZ
FDMA510PZ
$0 $/Stück
SIHB12N60E-GE3
NTLJS3113PTAG
NTLJS3113PTAG
$0 $/Stück
FDH50N50
IRFB3307PBF
DMTH6005LK3Q-13
STB85NF55T4

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.