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SIDR402EP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET

nicht konform

SIDR402EP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.63000 $2.63
500 $2.6037 $1301.85
1000 $2.5774 $2577.4
1500 $2.5511 $3826.65
2000 $2.5248 $5049.6
2500 $2.4985 $6246.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 65.2A (Ta), 291A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 165 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9100 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFH5215TRPBF
RMA7P20ED1
RMA7P20ED1
$0 $/Stück
TPS1101DR
TPS1101DR
$0 $/Stück
IXTH24P20
IXTH24P20
$0 $/Stück
BUK962R8-30B,118
PSMN6R0-30YLDX
SI4124DY-T1-GE3
IXTQ140N10P
IXTQ140N10P
$0 $/Stück
SI4850BDY-T1-GE3
IRF2903ZPBF

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