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SIE882DF-T1-GE3

SIE882DF-T1-GE3

SIE882DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK

compliant

SIE882DF-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.20285 -
6,000 $1.15830 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6400 pF @ 12.5 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 10-PolarPAK® (L)
Paket / Koffer 10-PolarPAK® (L)
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Zugehörige Teilenummer

SQJQ480E-T1_GE3
DMN63D1LW-7
IRFU7546PBF
NTMFS4108NT3G
NTMFS4108NT3G
$0 $/Stück
BUK7S1R5-40HJ
SIHP17N60D-GE3
STL19N60DM2

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