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SIHA17N80AE-GE3

SIHA17N80AE-GE3

SIHA17N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 7A TO220

compliant

SIHA17N80AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.91000 $2.91
500 $2.8809 $1440.45
1000 $2.8518 $2851.8
1500 $2.8227 $4234.05
2000 $2.7936 $5587.2
2500 $2.7645 $6911.25
30 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1260 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 34W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRLL2705TRPBF
RM4N700LD
RM4N700LD
$0 $/Stück
IRFH8324TRPBF
STB2N62K3
STB2N62K3
$0 $/Stück
SI4835DDY-T1-E3
PHB33NQ20T,118
IXTN200N10L2
IXTN200N10L2
$0 $/Stück
FQD30N06TM
FQD30N06TM
$0 $/Stück

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