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SIHA180N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A TO220

nicht konform

SIHA180N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.75000 $3.75
10 $3.36000 $33.6
100 $2.77650 $277.65
500 $2.27076 $1135.38
1,000 $1.93356 -
3,000 $1.84278 -
5,000 $1.77793 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1085 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

CPH3427-TL-E
CPH3427-TL-E
$0 $/Stück
DMN65D8LQ-13
STF25N60M2-EP
FCPF190N65S3L1
FCPF190N65S3L1
$0 $/Stück
SPB11N60C2
NDB6060L
NDB6060L
$0 $/Stück
PMV90ENER
PMV90ENER
$0 $/Stück
IXFH94N30P3
IXFH94N30P3
$0 $/Stück
IRF830SPBF
IRF830SPBF
$0 $/Stück

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