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SIHA22N60E-GE3

SIHA22N60E-GE3

SIHA22N60E-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

nicht konform

SIHA22N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.08000 $4.08
500 $4.0392 $2019.6
1000 $3.9984 $3998.4
1500 $3.9576 $5936.4
2000 $3.9168 $7833.6
2500 $3.876 $9690
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1920 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FDMS7692
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IRFD210PBF
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IXFN82N60P
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SIHD3N50D-E3
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$0 $/Stück
FDS2582
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IXTP24N65X2M
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IRF710SPBF
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IXTA76N25T-TRL
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